Physics of future ultra high speed transistors - part 1: HBT

Kasper, Erich ; Eberhardt, Jochen (1999) Physics of future ultra high speed transistors - part 1: HBT. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1999, 4-5 October 1999, Bologna, Italy.
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Abstract

An overview about current status of SiGe-HBT production is given. Advanced SiGe-HBTs are predicted to reach in near future fT=200 GHz. Design examples are given.

Abstract
Tipologia del documento
Documento relativo ad un convegno o altro evento (Atto)
Autori
AutoreAffiliazioneORCID
Kasper, Erich
Eberhardt, Jochen
Settori scientifico-disciplinari
Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
DOI
10.6092/unibo/amsacta/1442
Data di deposito
15 Feb 2006
Ultima modifica
17 Feb 2016 14:29
URI
https://amsacta.unibo.it/id/eprint/1442

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