Physical analysis of the breakdown phenomenon between sigle or double step gate recess HEMTs

Elkhou, M. ; Rousseau, M. ; Gerard, H. ; De Jaeger, J.C. (2004) Physical analysis of the breakdown phenomenon between sigle or double step gate recess HEMTs. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2004, 11—12 Ottobre, Amsterdam.
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Tipologia del documento
Documento relativo ad un convegno o altro evento (Atto)
Autori
AutoreAffiliazioneORCID
Elkhou, M.
Rousseau, M.
Gerard, H.
De Jaeger, J.C.
Settori scientifico-disciplinari
Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
DOI
10.6092/unibo/amsacta/967
Data di deposito
07 Giu 2005
Ultima modifica
17 Feb 2016 14:08
URI
https://amsacta.unibo.it/id/eprint/967

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